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微波烧结是一种材料烧结工艺的新方法，它具有升温速度快、能源利用率高、加热效率高和安全卫生*等特点，并能提高产品的均匀性和成品率，改善被烧结材料的微观结构和性能，近年来已经成为材料烧结领域里新的研究热点。
微波烧结的基本原理是利用材料本身的微波介质损耗而发热。微波在穿透被加热材料时能量被材料吸收并以热能的形式释放出来，利用这种能量转化得到的材料加热效果，从根本上与传统靠热传递加热是不同的。在整个微波加热过程中，由于被加热物体自身成为发热体，物体内外温度梯度很小，升温速度快。常规加热主要依靠热传导及热辐射传递热量，所以导致被加热工件（导热性很好的材料除外）内部温度梯度很大，而且加热过程中不可能达到快速升温。
微波烧结技术作为一种整体快速加热技术已经得到市场的广泛认同，其特点有：
★ 快速加热（烧结、合成）；显著高效节能
微波穿透被加热材料并与其直接耦合，实现整体同步快速加热；同时高强度的微波电磁场可降低材料的活化能，降低反应温度，从而大幅缩短烧结或合成时间，显著高效节能。
设备占地小，装机电功率低。
★ 均匀加热，组织均一
微波对材料可实现无梯度均匀加热或加工，从而减少材料内部热应力导致的变形、开裂倾向，或使材料组织均一化。
★ 致密化
快速均匀的无梯度加热可提高被烧结样品的整体致密度，减少气孔、孔洞、微裂纹等缺陷。
★ 超细晶体
快速升温和更快的烧结、合成周期可获得更为细密的晶粒组织结构，甚至可获得纳米晶体结构。
★ 选择加热性
对于高温合成或其他特殊工艺,可利用微波与不同成分材料之间的耦合强度差别进行选择性加热。
★ 诱导/强化 催化
微波高温加热可通过高强度的微波电磁场诱导催化或强化催化高温反应与合成进程，大幅度提高高温反应或合成的效率，降低反应所需温度，增强反应效果。
★ *可控，自动化程度高
配备连续可调的高精度高稳定度工业级专业微波源，采用高精度测温仪，通过微型嵌入式处理器实时调整、控制微波输入功率，使材料加工工艺易调可控。设备操作简单，便于维护、维修。
★ 安全、洁净、舒适、人性化
完善的结构设计保证装备安全可靠运行，微波泄露水平甚至低于移动电话的辐射值，装备外表装备低，一体化简洁的外观设计和良好的人机界面让使用者感觉更为洁净、舒适。
★ 智能化
可配备嵌入式微机控制系统，提供手动、自动、恒温三种操作模式并自由切换；笔记本操作，WINDOWS 操作系统，实时温度曲线图显示，可设置多种控温曲线并保存，运行记录自动存储，兼容打印机
主要应用领域
○各种无机粉体合成、煅烧
•碳化物：SiC、CrC、VC等
•氮化物：Si3N4、MnxNy、AlN、VN、CrN等
•电子陶瓷粉体：钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸锶、锆钛酸钡等
•荧光粉（LED粉、三基色长余辉粉等）
•锂离子电池材料：钴酸锂、锰酸锂、磷酸亚铁锂等正极材料及负极碳材料等
•各种颜色陶瓷色料、釉料、陶瓷原料等
○各种无机材料制品/器件烧结
•电子陶瓷:BaTiO3、SrTiO3、ZnO压电陶瓷、PTC热敏元器件等
•生物医学陶瓷:人造骨骼、牙齿等，MgO、Al2O3、ZrO2、SiC 、Y2O3、Si3N4、SiO2等高性能结构陶瓷
•日用陶瓷、工艺美术瓷
○灰化、焚化
○金属熔融及热处理
○金属氧化矿碳热还原 ○人造金刚石触媒微波焙烧还原
○稀土荧光粉微波煅
○电子陶瓷微波烧结
○磁性材料微波烧结
○高纯碳酸锰制备四氧化三锰
○偏矾酸铵热解制备五氧化二矾和三氧化二矾
○金属氧化矿碳热还原
○氮化钨微波烧结
我公司注册资金2008万，专业生产微波干燥设备及微波高温生产线，欢迎莅临指导。
3、电子陶瓷微波烧结设备︱电子陶瓷微波烧结技术︱电子陶瓷烧结技术
通过对微波烧结缓变型Y~(3+)掺杂(Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3型PTC陶瓷研究，发现微波烧结可获得与常规烧结相似的PTC材料性能参数，但微波烧结使该材料的烧结温度由常规烧结的1350℃降低到微波烧结的1150℃，全程烧结时间由常规烧结的28小时降低到微波烧结的4小时，在能源节约方面具有优势。
微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，当获得样品的晶粒尺寸相同时所需微波烧结温度更低，烧结时间更短；微波烧结样品的压敏电性能参数明显优于常规烧结的样品，
采用微波合成①a，Sr）TIOs（BST）粉体可以将合成温度从常规的1100OC降 至微波合成方法的900℃，合成粉体的尺寸从常规方法的320urn降至微波合成粉 体的 50urn。
微波烧结 Ba＊a们 材料在 1310℃／25min条件下获得了晶粒约 lpffi的细晶BST陶瓷。 利用微波加热的选择性可以抑制含铅氧化物电子陶瓷中铅的挥发，从而有利于控制铅含量及材料的微结构。
如对PZT铁电薄膜进行微波退火处理，不仅退火温度被显著降低，同时还阻止了氧化铅挥发造成的薄膜表面的微裂纹，从 而使PZT簿膜样品上电极的完好率有大幅提高。通过对烧结机理的分析，推论出微波烧结过程中材料的晶界及界面处的温 度比晶粒内部要高。
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